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2SA1791J

更新时间： 2024-01-29 22:45:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 77K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-89, 3 PIN

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2SA1791J 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-89包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.79最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

2SA1791J 数据手册

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Transistors  
2SA1791J  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For high-frequency amplification  
Complementary to 2SC4656J  
Unit: mm  
+0.05  
–0.03  
1.60  
+0.03  
0.12  
–0.01  
1.00 0.05  
3
■ Features  
• High transition frequency fT  
1
2
• Small collector output capacitance Cob  
• SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing.  
0.27 0.02  
(0.50)(0.50)  
5˚  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
−50  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
−50  
V
−5  
V
1 : Base  
2 : Emitter  
EIAJ : SC-89  
−50  
mA  
mW  
°C  
°C  
3 : Collector  
SSMini3-F1 Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
125  
Marking Symbol: AL  
Tj  
125  
Storage temperature  
Tstg  
−55 to +125  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
Conditions  
Min  
−50  
−50  
−5  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
IC = −10 µA, IE = 0  
IC = −1 mA, IB = 0  
V
IE = −10 µA, IC = 0  
VCB = −10 V, IE = 0  
VCE = −10 V, IB = 0  
VCE = −10 V, IC = −2 mA  
V
− 0.1  
µA  
µA  
ICEO  
−100  
*
Forward current transfer ratio  
hFE  
200  
500  
− 0.1 − 0.3  
250  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = −10 mA, IB = −1 mA  
V
fT  
VCB = −10 V, IE = 2 mA, f = 200 MHz  
VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
1.5  
(Common base, input open circuited)  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Q
R
hFE  
200 to 400  
250 to 500  
Publication date: September 2004  
SJC00309AED  
1
123

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