2N5868

更新时间： 2024-02-02 19:14:30

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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N5868 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

2N5868 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N5867 2N5868

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For medium-speed switching and

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

2N5867

2N5868

2N5867

2N5868

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-80

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-80

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-5

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

87.5

150

℃

T_stg

-65~200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.17

℃/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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