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97SD3248BRPQK

更新时间: 2024-01-03 02:35:17
品牌 Logo 应用领域
麦斯威 - MAXWELL 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
40页 501K
描述
Synchronous DRAM, 32MX48, 6ns, CMOS, PQFP132, QFP-132

97SD3248BRPQK 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:QFF,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.7
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:S-PQFP-F132
长度:34.29 mm内存密度:1610612736 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:48
功能数量:1端口数量:1
端子数量:132字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:32MX48封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QFF封装形状:SQUARE
封装形式:FLATPACK座面最大高度:9.7028 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:FLAT
端子节距:0.635 mm端子位置:QUAD
总剂量:100k Rad(Si) V宽度:34.29 mm
Base Number Matches:1

97SD3248BRPQK 数据手册

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97SD3248B  
1.5Gb (8-Meg X 48-Bit X 4-Banks) SDRAM  
Pinout Description  
Vcc  
NC  
Vss  
NC  
Vcc  
NC  
Vss  
NC  
NC  
VSSQ  
D47  
D31  
D15  
VCCQ  
NC  
CS5  
VSSQ  
VCCQ  
NC  
CS3  
CS6  
CS4  
CS1  
CLK1  
CS2  
CLK2  
NC  
NC  
DQM5  
DQM3  
DQM6  
DQM4  
DQM2  
D46  
D30  
D14  
VCCQ  
VSSQ  
D45  
DQM1  
D35  
D19  
97SD3248B  
D3  
VCCQ  
VSSQ  
D34  
D18  
D2  
D33  
D17  
D1  
D32  
D16  
D29  
D13  
D44  
D28  
D12  
D0  
Vss  
NC  
NC  
Vss  
NC  
Vcc  
Vcc  
The 97SD3248B Consists of 6, 8-Meg X 8-Bit X 4-Banks, die.  
CKE 1-6, CS 1-6 and DQM 1-6 correspond to one of the die:  
CKE1, CS1 and DQM1 control D0 - D7  
CKE2, CS2 and DQM2 control D8 - D15  
CKE3, CS3 and DQM3 control D16 - D23  
CKE4, CS4 and DQM4 control D24 - D31  
CKE5, CS5 and DQM5 control D32 - D39  
CKE6, CS6 and DQM6 control D40 - D47  
08.21.2013 Rev 2  
All data sheets are subject to change without notice  
2
©2013 Maxwell Technologies  
All rights reserved.  

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