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97SD3248BRPQK

更新时间： 2024-02-05 20:40:09

品牌	Logo	应用领域
麦斯威 - MAXWELL		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
40页	501K
描述
Synchronous DRAM, 32MX48, 6ns, CMOS, PQFP132, QFP-132

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97SD3248BRPQK 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	QFF,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	S-PQFP-F132
长度：	34.29 mm	内存密度：	1610612736 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	48
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	132	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32MX48	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFF	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK	座面最大高度：	9.7028 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	QUAD
总剂量：	100k Rad(Si) V	宽度：	34.29 mm
Base Number Matches：	1

97SD3248BRPQK 数据手册

97SD3248B

1.5Gb (8-Meg X 48-Bit X 4-Banks) SDRAM

‘

TABLE 1. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

MAX

UNIT

Voltage on any pin relative to V_SS

V_IN

V_OUT

-0.5 to VCC + 0.5

(< 4.6(max))

Supply voltage relative to V_SS

Short circuit output current

Weight

V_CC

I_OUT

-0.5 to +4.6

Grams

°C/W

°C

Thermal Resistance

Operating Temperature

Storage Temperature

Tjc

3.1

T_OPR

T_STG

-55 to +125

-65 to +150

°C

TABLE 2. RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

(V_CC= 3.3V + 0.3V, V_CCQ = 3.3V + 0.3V, T_A= -55 TO 125°C, UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)

3.0

2.0

-0.3

3.6

NIT

ARAMETER

YMBOL

1,2

Supply Voltage

V_CC, V_CCQ

V_SS, V_SSQ

1,4

Input High Voltage

Input Low Voltage

V_IH

V_IL

V_CC+ 0.3

0.8

1,5

1. All voltage referred to VSS

_CCand V

2. The supply voltage with all

_CCQpins must be on the same level

_{2) THE SU}T_PPh_Le_Ys_Vu_Op_LTp_Al_Gy_Ev_Fo_Ol_Rta_Vge_CCw_Ai_Nth_Da_Vl_Cl_CV_Q_S_P_S_INa_Snd_MUV_S_S_T_S_B_Q_Ep_Ain_Ts_THm_Eu_Ss_At_Mb_Ee_Lo_EVn_Et_Lh_.e same level

^{3) THE SUPPLY VOLTAGE}V^{FOR VSS AND VSSQ PINS MUST BE AT THE SAME LEVEL.}

1) ALL VOLTAGES REFERED TO VSS.

_{4) VI}4_H._(MAX_I₎_H₌(m_Va_Cx_C)₊=_2.0_C_V_C+_F2_O._R0_AV_Pf_Uo_Lr_SEpu_Wl_Is_De_THw_<id₃th_{NS A}3_Tn_Vs_Ca_Ct_.

^{5) VI}5^L.^(MINV⁾_IL⁼(m^VSin^S)^-=^2.V⁰_S^V_S-^F2^O.0^RV^{A P}fo^Ur^LSp^Eu^Wls^IDe^Tw^Hi^<dt³h^NS<3^ATns^Va^St^S.V_SS

TABLE 3. DELTA LIMITS

PARAMETER

DESCRIPTION

VARIATION

I_CC1

Operating Current

Power Down Standby Current

Active Standby Current

±10%

_CC2PI_{CC2PS CC2N}

I_CC2NS

I_CC3NS

_CC3PI_{CC3PS CC3N}

1. ±10% of value specified in Table 4

TABLE 4. DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(V_CC= 3.3V + 0.3V, V_CCQ = 3.3V + 0.3V, T_A= -55 TO 125°C, UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)

MIN

P^ARAMETER

Operating Current^1,2,3

SYMBOL

TEST CONDITIONS

SUBGROUPS

MAX

UNITS

I_CC1Burst length CAS Latency = 2 1, 2, 3

690

= 1

CAS Latency = 3

_RC= min

Standby Current in Power Down⁴

I_CC2P

CKE = V_IL

t_CK= 12 ns

1, 2, 3

08.21.2013 Rev 2

All data sheets are subject to change without notice

1 234 5 6 7...40

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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