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934055808127

更新时间： 2024-09-17 21:17:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 115K
描述
TRANSISTOR 35 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power

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934055808127 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
雪崩能效等级（Eas）：170 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

934055808127 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
N-channel TrenchMOS transistor  
PHP34NQ10T, PHB34NQ10T  
PHD34NQ10T  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
d
• ’Trench’ technology  
• Low on-state resistance  
• Fast switching  
VDSS = 100 V  
ID = 35 A  
• Low thermal resistance  
g
RDS(ON) ≤ 40 mΩ  
s
GENERAL DESCRIPTION  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.  
Applications:-  
• d.c. to d.c. converters  
• switched mode power supplies  
The PHP34NQ10T is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.  
The PHB34NQ10T is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting package.  
The PHD34NQ10T is supplied in the SOT428 (DPAK) surface mounting package.  
PINNING  
SOT78 (TO220AB)  
SOT404 (D2PAK)  
SOT428 (DPAK)  
tab  
tab  
PIN  
1
DESCRIPTION  
tab  
gate  
2
drain 1  
source  
2
2
3
1 2 3  
1
3
1
3
tab drain  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDSS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Continuous drain current  
Tj = 25 ˚C to 175˚C  
Tj = 25 ˚C to 175˚C; RGS = 20 kΩ  
-
-
-
-
-
-
-
100  
100  
± 20  
35  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
Tmb = 25 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 100 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 25 ˚C  
25  
IDM  
PD  
Tj, Tstg  
Pulsed drain current  
Total power dissipation  
Operating junction and  
storage temperature  
140  
136  
175  
Tmb = 25 ˚C  
- 55  
1 It is not possible to make connection to pin:2 of the SOT404 or SOT428 packages.  
August 1999  
1
Rev 1.000  
1234567...12

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与934055808127相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
934055811127 NXP

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 		TRANSISTOR 28 A, 100 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46,
934055815127 NXP

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 		TRANSISTOR 100 A, 55 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3
934055837115 NXP

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 		2.7V, 0.3W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
934055841115 NXP

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 		3.9V, 0.3W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
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