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934055906118

更新时间： 2024-11-05 14:30:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 81K
描述
TRANSISTOR 3 A, 100 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SMD, SO-8, FET General Purpose Power

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934055906118 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：0.09 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

934055906118 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Dual N-channel TrenchMOSTM transistor  
PHKD3NQ10T  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Dual device  
• Low on-state resistance  
• Fast switching  
• Low profile surface mount  
package  
d1  
d2  
s2  
VDS = 100 V  
ID = 3 A  
g1  
g2  
R
DS(ON) ≤ 90 mΩ (VGS = 10 V)  
s1  
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT96-1  
8
7
6
5
Dual N-channel enhancement  
mode field-effect transistor in a  
plastic envelope using ’trench’  
technology.  
PIN  
DESCRIPTION  
source 1  
gate 1  
1
2
Applications:-  
• Motor and relay drivers  
• d.c. to d.c. converters  
3
source 2  
gate 2  
pin 1 index  
4
1
2
3
4
The PHKD3NQ10T is supplied in  
the SOT96-1 (SO8) surface  
mounting package.  
5,6  
7,8  
drain 2  
drain 1  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
Continuous drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Tj = 25 ˚C to 150˚C  
Tj = 25 ˚C to 150˚C;  
RGS = 20 kΩ  
-
-
100  
100  
V
V
VGS  
ID  
Gate-source voltage  
Drain current per MOSFET  
-
-
-
-
-
-
± 20  
3
2.4  
2.2  
1.7  
12  
V
A
A
A
A
A
Ta = 25 ˚C, t ≤ 10 s  
Ta = 70 ˚C, t ≤ 10 s  
Ta = 25 ˚C, t ≤ 10 s  
Ta = 70 ˚C, t ≤ 10 s  
ID  
Drain current per MOSFET (both  
MOSFETs conducting)  
Drain current (pulse peak value per Ta = 25 ˚C  
MOSFET)  
IDM  
Ptot  
Total power dissipation  
Ta = 25 ˚C, t ≤ 10 s  
Ta = 70 ˚C, t ≤ 10 s  
-
-
2
1.3  
150  
W
W
˚C  
Tstg, Tj  
Storage & operating temperature  
- 65  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-a  
Thermal resistance junction Surface mounted on FR4 board, t ≤ 10  
to ambient sec; either or both MOSFETs conducting  
Thermal resistance junction Surface mounted on FR4 board; either or  
to ambient both MOSFETs conducting  
-
62.5  
K/W  
Rth j-a  
150  
-
K/W  
August 1999  
1
Rev 1.000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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