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934055768118

更新时间： 2024-09-17 14:40:35

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	117K
描述
TRANSISTOR 8.7 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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934055768118 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, SMD, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	93 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	8.7 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

934055768118 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel TrenchMOS transistor

PHP9NQ20T, PHB9NQ20T

PHD9NQ20T

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• ’Trench’ technology

• Low on-state resistance

• Fast switching

V_DSS= 200 V

I_D= 8.7 A

• Low thermal resistance

R_DS(ON)≤ 400 mΩ

GENERAL DESCRIPTION

N-channel, enhancement mode field-effect power transistor using Trench technology, intended for use in off-line

switchedmode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits

and general purpose switching applications.

The PHP9NQ20T is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package

The PHB9NQ20T is supplied in the SOT404 (D²PAK) surface mounting package

The PHD9NQ20T is supplied in the SOT428 (DPAK) surface mounting package

PINNING

SOT78 (TO220AB)

SOT404 (D²PAK)

SOT428 (DPAK)

tab

DESCRIPTION

tab

gate

drain ¹

source

1 2 3

tab drain

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DSS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Continuous drain current

T_j= 25 ˚C to 175˚C

T_j= 25 ˚C to 175˚C; R_GS= 20 kΩ

200

± 30

8.7

6.2

˚C

T_mb= 25 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 100 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 25 ˚C

I_DM

P_D

T_j, T_stg

Pulsed drain current

Total power dissipation

Operating junction and

storage temperature

T_mb= 25 ˚C

175

- 55

1 It is not possible to make connection to pin:2 of the SOT404 or SOT428 packages.

October 2000

Rev 1.300

12 3 4 5 6 7...12

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