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934043650115

更新时间： 2024-09-29 20:54:27

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恩智浦 - NXP		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	351K
描述
10A, 30V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN

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934043650115 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-73
包装说明：	PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

934043650115 数据手册

BSP030

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

Rev. 04 — 26 July 2000

Product speciﬁcation

1. Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™¹technology.

Product availability:

BSP030 in SOT223.

2. Features

■ TrenchMOS™ technology

■ Fast switching

■ Low on-state resistance

■ Logic level compatible

■ Surface mount package.

3. Applications

■ Motor and actuator driver

■ Battery management

■ High speed, low resistance switch.

4. Pinning information

Table 1: Pinning - SOT223, simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

drain (d)

source (s)

drain (d)

03ab45

03ab30

SOT223

N-channel MOSFET

1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

12 3 4 5 6 7...13

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