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934045160127

更新时间： 2024-11-16 14:48:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 85K
描述
TRANSISTOR 68 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power

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934045160127 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：ESD PROTECTION雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：68 A
最大漏源导通电阻：0.014 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

934045160127 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
TrenchMOS transistor  
Standard level FET  
BUK7514-55  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
standard level field-effect power  
transistor in a plastic envelope using  
’trench’ technology. The device  
features very low on-state resistance  
and has integral zener diodes giving  
ESD protection up to 2kV. It is  
intended for use in automotive and  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Ptot  
Tj  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
55  
68  
142  
175  
14  
V
A
W
˚C  
mΩ  
RDS(ON)  
resistance  
VGS = 10 V  
general  
purpose  
switching  
applications.  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
tab  
gate  
2
drain  
g
3
source  
tab drain  
s
1 2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
ID  
IDM  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
-
-
-
-
-
-
-
-
55  
55  
16  
68  
48  
240  
142  
175  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
RGS = 20 kΩ  
-
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage & operating temperature  
Ptot  
Tstg, Tj  
- 55  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor  
voltage, all pins  
Human body model  
(100 pF, 1.5 kΩ)  
-
2
kV  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
-
-
1.05  
K/W  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
ambient  
in free air  
60  
-
K/W  
April 1998  
1
Rev 1.000  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
934045260118 NXP

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 		TRANSISTOR 45 A, 55 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, D2PAK-3, FET
934045270118 NXP

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 		TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
934045290118 NXP

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 		TRANSISTOR 57 A, 55 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
934045300118 NXP

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 		TRANSISTOR 45 A, 55 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
934045400115 NXP

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 		SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, PLASTIC, SMD, SC-76, 2 PIN
934045500113 NXP

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 		DIODE 0.05 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
934045520115 NXP

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 		TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC, SMD, 8 PIN, FET RF Power
934045740135 NXP

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 		DIODE 0.25 A, 85 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, SMD, UMT6, SC-88, 6 PIN, Si
934045790114 NXP

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 		TRANSISTOR S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-2, BIP R
934047050127 NXP

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 		15A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3

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