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934047080127

更新时间： 2024-11-16 21:17:31
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恩智浦 - NXP 超快软恢复二极管快速软恢复二极管局域网
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6页 50K
描述
DIODE 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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934047080127 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-247包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.34
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：160 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.028 µs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

934047080127 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
ultrafast, rugged  
BYV72EW series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
VR = 150 V/ 200 V  
VF ≤ 0.85 V  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Soft recovery characteristic  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
a1  
1
a2  
3
IO(AV) = 30 A  
IRRM = 0.2 A  
k
2
trr ≤ 28 ns  
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT429 (TO247)  
Dual, ultra-fast, epitaxial rectifier  
diodes intended for use as output  
rectifiersinhighfrequencyswitched  
mode power supplies.  
PIN  
DESCRIPTION  
anode 1  
cathode  
1
2
The BYV72EW series is supplied in  
the conventional leaded SOT429  
(TO247) package.  
3
anode 2  
cathode  
tab  
2
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
BYV72EW  
-150  
150  
150  
150  
-200  
200  
200  
200  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
Tmb ≤ 144˚C  
IO(AV)  
IFRM  
IFSM  
Average rectified output current square wave  
-
-
30  
30  
A
A
(both diodes conducting)1  
δ = 0.5; Tmb ≤ 104 ˚C  
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
per diode  
Non-repetitive peak forward  
current per diode  
Tmb ≤ 104 ˚C  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
-
-
150  
160  
A
A
sinusoidal; with reapplied  
VRWM(max)  
Repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001  
IRRM  
IRSM  
-
-
0.2  
0.2  
A
A
per diode  
Non-repetitive peak reverse  
current per diode  
tp = 100 µs  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-40  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
1 Neglecting switching and reverse current losses.  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge  
capacitor voltage  
Human body model;  
C = 250 pF; R = 1.5 kΩ  
-
8
kV  
October 1998  
1
Rev 1.200  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
934047100127 NXP

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 		DIODE 15 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
934047350126 NXP

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