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934045270118

更新时间： 2024-11-16 14:47:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 91K
描述
TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

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934045270118 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.28
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTION
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

934045270118 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
TrenchMOS transistor  
Logic level FET  
BUK9608-55  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode logic  
level field-effect power transistor in a  
plastic envelope suitable for surface  
mounting Using ’trench’ technology  
the device features very low on-state  
resistance and has integral zener  
diodes giving ESD protection up to  
2kV. It is intended for use in  
automotive and general purpose  
switching applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Ptot  
Tj  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
55  
75  
187  
175  
8
V
A
W
˚C  
mΩ  
RDS(ON)  
resistance  
VGS = 5 V  
PINNING - SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
mb  
gate  
2
drain  
g
3
source  
2
mb drain  
s
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
ID  
IDM  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
-
-
-
-
-
-
-
-
55  
55  
10  
75  
65  
240  
187  
175  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
RGS = 20 kΩ  
-
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage & operating temperature  
Ptot  
Tstg, Tj  
- 55  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor  
voltage  
Human body model  
(100 pF, 1.5 kΩ)  
-
2
kV  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
-
-
0.8  
K/W  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
ambient  
Minimum footprint,FR4  
board  
50  
-
K/W  
April 1998  
1
Rev 1.000  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
934045290118 NXP

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 		TRANSISTOR 57 A, 55 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
934045300118 NXP

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 		TRANSISTOR 45 A, 55 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
934045400115 NXP

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 		SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, PLASTIC, SMD, SC-76, 2 PIN
934045500113 NXP

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 		DIODE 0.05 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
934045520115 NXP

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 		TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC, SMD, 8 PIN, FET RF Power
934045740135 NXP

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 		DIODE 0.25 A, 85 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, SMD, UMT6, SC-88, 6 PIN, Si
934045790114 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-2, BIP R
934047050127 NXP

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 		15A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3
934047080127 NXP

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 		DIODE 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
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 		DIODE 15 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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