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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
静态存储器 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 9页 | 255K |  |
| 描述 | ||
| 16KX1 STANDARD SRAM, 40ns, CDIP20 | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 40 ns |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T20 | 长度： | 25.4 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 20 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 16KX1 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 座面最大高度： | 3.124 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 8413202SX | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, 0.540 X 0.300 INCH, 0.100 INCH HEIGHT, FP-20 |
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| 8413202SX | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, 0.540 X 0.300 INCH, 0.100 INCH HEIGHT, FP-20 |
|
| 8413202YA | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 40ns, CMOS, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 |
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| 8413202YA | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
16KX1 STANDARD SRAM, 40ns, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 |
|
| 8413202YX | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, 0.440 X 0.305 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, LCC-20 |
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| 8413203RA | INTERSIL |
获取价格 |
16K x 1 Asynchronous CMOS Static RAM |
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| 8413203RX | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
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| 8413203YA | INTERSIL |
获取价格 |
16K x 1 Asynchronous CMOS Static RAM |
|
| 8413203YX | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| 8413204RA | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
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