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8413206YX

更新时间: 2024-11-03 20:29:55
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 212K
描述
Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, 0.440 X 0.305 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, LCC-20

8413206YX 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QLCC
包装说明:QCCN,针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.44
最长访问时间:25 nsJESD-30 代码:S-XQCC-N20
JESD-609代码:e0内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端子数量:20
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:16KX1
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:QCCN
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

8413206YX 数据手册

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