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8413202YA

更新时间： 2024-11-03 20:13:15

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	192K
描述
Standard SRAM, 16KX1, 40ns, CMOS, CQCC20, CERAMIC, LCC-20

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8413202YA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QLCC	包装说明：	CERAMIC, LCC-20
针数：	20	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.41	最长访问时间：	40 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-CQCC-N20	JESD-609代码：	e0
长度：	10.8585 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	16KX1	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC20,.3X.43
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	1.9812 mm	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	7.366 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
8413202YX	IDT	获取价格	Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, 0.440 X 0.305 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, LCC-20
8413203RA	INTERSIL	获取价格	16K x 1 Asynchronous CMOS Static RAM
8413203RX	ETC	获取价格	x1 SRAM
8413203YA	INTERSIL	获取价格	16K x 1 Asynchronous CMOS Static RAM
8413203YX	ETC	获取价格	x1 SRAM
8413204RA	ETC	获取价格	x1 SRAM
8413204RX	ETC	获取价格	x1 SRAM
8413204SA	IDT	获取价格	Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS
8413204SX	ETC	获取价格	x1 SRAM
8413204YA	ETC	获取价格	x1 SRAM