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74LVC2G86DC PDF预览

74LVC2G86DC

更新时间： 2024-01-20 00:54:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅极触发器逻辑集成电路石英晶振光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 81K
描述
Dual 2-input exclusive-OR gate

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74LVC2G86DC 技术参数

生命周期：Active包装说明：HVBCC,
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.59系列：LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：R-PBCC-B8长度：1.35 mm
逻辑集成电路类型：XOR GATE功能数量：2
输入次数：2端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVBCC
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED传播延迟（tpd）：12.4 ns
座面最大高度：0.35 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：BUTT
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：0.8 mm

74LVC2G86DC 数据手册

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74LVC2G86  
Philips Semiconductors  
Dual 2-input exclusive-OR gate  
Table 8:  
Static characteristics …continued  
At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
Symbol Parameter  
VOL LOW-level output voltage VI = VIH or VIL  
IO = 100 µA; VCC = 1.65 V to 5.5 V  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1  
V
V
V
V
V
V
IO = 4 mA; VCC = 1.65 V  
IO = 8 mA; VCC = 2.3 V  
IO = 12 mA; VCC = 2.7 V  
IO = 24 mA; VCC = 3.0 V  
IO = 32 mA; VCC = 4.5 V  
0.70  
0.45  
0.60  
0.80  
0.80  
VOH  
HIGH-level output voltage VI = VIH or VIL  
IO = −100 µA; VCC = 1.65 V to 5.5 V  
IO = −4 mA; VCC = 1.65 V  
IO = −8 mA; VCC = 2.3 V  
V
CC − 0.1  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
0.95  
1.7  
1.9  
2.0  
3.4  
-
-
V
-
V
IO = −12 mA; VCC = 2.7 V  
IO = −24 mA; VCC = 3.0 V  
IO = −32 mA; VCC = 4.5 V  
VI = 5.5 V or GND; VCC = 5.5 V  
-
V
-
V
-
V
ILI  
input leakage current  
±20  
±20  
40  
µA  
µA  
µA  
Ioff  
ICC  
power-off leakage current VI or VO = 5.5 V; VCC = 0 V  
-
quiescent supply current VI = VCC or GND; IO = 0 A;  
-
V
CC = 5.5 V  
VI = VCC − 0.6 V; IO = 0 A;  
CC = 2.3 V to 5.5 V  
∆ICC  
additional quiescent  
supply current per pin  
-
-
5000  
µA  
V
[1] All typical values are measured at VCC = 3.3 V and Tamb = 25 °C.  
12. Dynamic characteristics  
Table 9:  
Dynamic characteristics  
GND = 0 V; for test circuit see Figure 7.  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Tamb = −40 °C to +85 °C[1]  
tPHL  
tPLH  
,
propagation delay inputs nA, nB see Figure 6  
to outputs nY  
VCC = 1.65 V to 1.95 V  
1.4  
0.8  
0.8  
0.8  
0.6  
-
3.8  
2.5  
3.0  
2.3  
1.9  
15.8  
9.9  
5.7  
5.7  
4.7  
3.6  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
pF  
VCC = 2.3 V to 2.7 V  
VCC = 2.7 V  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
VCC = 4.5 V to 5.5 V  
VCC = 3.3 V  
[2] [3]  
CPD  
power dissipation capacitance  
per gate  
9397 750 14506  
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 03 — 7 February 2005  
7 of 15  
1...45678910...15

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