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74LVC1G32GM

更新时间： 2024-01-05 04:48:41

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安世 - NEXPERIA		光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	250K
描述
Single 2-input OR gateProduction

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技术参数
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74LVC1G32GM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SON, SOLCC6,.04,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
JESD-609代码：	e0	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	OR GATE	最大I（ol）：	0.024 A
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SON	封装等效代码：	SOLCC6,.04,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
包装方法：	TAPE AND REEL	电源：	3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	6 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	子类别：	Gates
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

74LVC1G32GM 数据手册

74LVC1G32

Single 2-input OR gate

Rev. 14 — 18 January 2022

Product data sheet

1. General description

The 74LVC1G32 is a single 2-input OR gate. Inputs can be driven from either 3.3 V or 5 V devices.

This feature allows the use of these devices as translators in mixed 3.3 V and 5 V environments.

Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit tolerant of slower input rise and fall times. This

device is fully specified for partial power down applications using I_OFF. The I_OFFcircuitry disables

the output, preventing the potentially damaging backflow current through the device when it is

powered down.

2. Features and benefits

•

Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V

•

Overvoltage tolerant inputs to 5.5 V

High noise immunity

CMOS low power dissipation

I_OFFcircuitry provides partial Power-down mode operation

±24 mA output drive (V_CC= 3.0 V)

Latch-up performance exceeds 250 mA

Direct interface with TTL levels

Complies with JEDEC standard:

•

JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)

JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)

JESD8-B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V)

•

ESD protection:

•

HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V

MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

•

Multiple package options

Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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