5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOT-338-1, SSOP-16 | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.26 | Is Samacsys： | N |
| 系列： | HCT | JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 6.2 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | J-KBAR FLIP-FLOP |
| 最大频率@ Nom-Sup： | 18000000 Hz | 最大I（ol）： | 0.006 A |
| 湿度敏感等级： | 1 | 位数： | 2 |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出极性： | COMPLEMENTARY | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SSOP | 封装等效代码： | SSOP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 传播延迟（tpd）： | 53 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2 mm | 子类别： | FF/Latches |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | NICKEL PALLADIUM GOLD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 触发器类型： | POSITIVE EDGE |
| 宽度： | 5.3 mm | 最小 fmax： | 18 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 74HCT109DB,118 | NXP |
获取价格 |
74HC(T)109 - Dual JK flip-flop with set and reset; positive-edge trigger SSOP1 16-Pin |
|
| 74HCT109DB-T | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 74HCT109D-Q100 | NXP |
获取价格 |
J-Kbar Flip-Flop |
|
| 74HCT109D-Q100 | NEXPERIA |
获取价格 |
Dual JK flip-flop with set and reset; positive-edge-triggerProduction |
|
| 74HCT109D-T | ETC |
获取价格 |
J-K-Type Flip-Flop |
|
| 74HCT109N | NXP |
获取价格 |
Dual JK flip-flop with set and reset; positive-edge trigger |
|
| 74HCT109NB | NXP |
获取价格 |
IC HCT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED J-KBAR FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, PDIP16 |
|
| 74HCT109PW | NXP |
获取价格 |
Dual JK flip-flop with set and reset; positive-edge trigger |
|
| 74HCT109PW | NEXPERIA |
获取价格 |
Dual JK flip-flop with set and reset; positive-edge-triggerProduction |
|
| 74HCT109PW,118 | NXP |
获取价格 |
74HC(T)109 - Dual JK flip-flop with set and reset; positive-edge trigger TSSOP 16-Pin |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
