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74HC3G16DP

更新时间： 2024-01-10 07:32:55

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安世 - NEXPERIA		光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	179K
描述
Triple buffer gateProduction

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技术参数
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74HC3G16DP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.76
系列：	HC/UH	JESD-30 代码：	S-PDSO-G8
JESD-609代码：	e4	长度：	3 mm
逻辑集成电路类型：	BUFFER	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
传播延迟（tpd）：	125 ns	座面最大高度：	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

74HC3G16DP 数据手册

74HC3G16

Triple buffer gate

Rev. 3 — 17 April 2019

Product data sheet

1. General description

The 74HC3G16 is a triple buffer. Inputs include clamp diodes. This enables the use of current

limiting resistors to interface inputs to voltages in excess of V_CC

2. Features and benefits

•

Wide supply voltage range from 2.0 V to 6.0 V

•

CMOS input levels

Complies with JEDEC standard no. 7 A

Symmetrical output impedance

High noise immunity

Low-power dissipation

Balanced propagation delays

ESD protection:

•

HBM JESD22-A114E exceeds 2000 V

MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

•

Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C

3. Ordering information

Table 1. Ordering information

Type number

Package

Temperature range Name

Description

Version

74HC3G16DP

-40 °C to +125 °C

TSSOP8

plastic thin shrink small outline package; 8 leads;

body width 3 mm; lead length 0.5 mm

SOT505-2

4. Marking

Table 2. Marking

Type number

Marking code [1]

74HC3G16DP

[1] The pin 1 indicator is located on the lower left corner of the device, below the marking code.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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