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74HC2GU04GV-Q100

更新时间： 2024-09-16 20:54:03

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恩智浦 - NXP		光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	174K
描述
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74HC2GU04GV-Q100 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	TSSOP,
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.67	系列：	HC/UH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	长度：	2.9 mm
逻辑集成电路类型：	INVERTER	功能数量：	2
输入次数：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
传播延迟（tpd）：	90 ns	筛选级别：	AEC-Q100
座面最大高度：	1.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.95 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	1.5 mm	Base Number Matches：	1

74HC2GU04GV-Q100 数据手册

74HC2GU04-Q100

Dual unbuffered inverter

Rev. 2 — 17 September 2014

Product data sheet

1. General description

The 74HC2GU04-Q100 is a high-speed Si-gate CMOS device.

The 74HC2GU04-Q100 provides two unbuffered inverters.

This product has been qualified to the Automotive Electronics Council (AEC) standard

Q100 (Grade 1) and is suitable for use in automotive applications.

2. Features and benefits

 Automotive product qualification in accordance with AEC-Q100 (Grade 1)

 Specified from 40 C to +85 C and from 40 C to +125 C

 Wide supply voltage range from 2.0 V to 6.0 V

 Complies with JEDEC standard no. 7A

 High noise immunity

 ESD protection:

 HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V

 MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

 Low power dissipation

 Balanced propagation delays

 Multiple package options

 ESD protection:

 MIL-STD-883, method 3015 exceeds 2000 V

 HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V

 MM JESD22-A115-A exceeds 200 V (C = 200 pF, R = 0 )

3. Ordering information

Table 1.

Ordering information

Type number

Package

Temperature range Name Description

Version

SOT363

SOT457

74HC2GU04GW-Q100 40 C to +125 C

74HC2GU04GV-Q100 40 C to +125 C

SC-88 plastic surface-mounted package; 6 leads

SC-74 plastic surface-mounted package (TSOP6); 6 leads

12 3 4 5 6 7...16

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