是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SOP, | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.61 |
系列: | HC/UH | JESD-30 代码: | R-PDSO-G14 |
长度: | 8.65 mm | 逻辑集成电路类型: | NAND GATE |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 4 |
输入次数: | 2 | 端子数量: | 14 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
输出特性: | OPEN-DRAIN | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
传播延迟(tpd): | 145 ns | 筛选级别: | AEC-Q100 |
座面最大高度: | 1.75 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 3.9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
74HC03D-T | ETC |
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Quad 2-input NAND Gate | |
74HC03N | NXP |
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Quad 2-input NAND gate | |
74HC03NB | NXP |
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暂无描述 | |
74HC03PW | NEXPERIA |
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Quad 2-input NAND gate; open-drain outputProduction | |
74HC03PW-Q100 | NEXPERIA |
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Quad 2-input NAND gate | |
74HC03-Q100 | NEXPERIA |
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Quad 2-input NAND gate | |
74HC04 | NXP |
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Hex inverter | |
74HC04 | ONSEMI |
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Hex Inverter High−Performance Silicon−Gate CMOS | |
74HC04 | DIODES |
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HEX INVERTERS | |
74HC04 | HGSEMI |
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6路反相器 |