是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SOP-14 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.56 |
系列: | HC/UH | JESD-30 代码: | R-PDSO-G14 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 8.65 mm |
逻辑集成电路类型: | INVERTER | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 6 | 输入次数: | 1 |
端子数量: | 14 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
传播延迟(tpd): | 130 ns | 筛选级别: | AEC-Q100 |
座面最大高度: | 1.75 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
74HC04DR2G | ONSEMI |
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Hex Inverter High−Performance Silicon−Gate CMOS | |
74HC04D-T | ETC |
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Hex Inverter | |
74HC04DTR2G | ONSEMI |
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Hex Inverter High−Performance Silicon−Gate CMOS | |
74HC04N | NXP |
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Hex inverter | |
74HC04N,652 | NXP |
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74HC04N | |
74HC04N-B | PHILIPS |
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Inverter, CMOS, PDIP14 | |
74HC04PW | NXP |
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Hex inverter | |
74HC04PW | NEXPERIA |
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Hex inverterProduction | |
74HC04PW-Q100 | NXP |
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Hex inverter | |
74HC04PW-Q100 | NEXPERIA |
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Hex inverterProduction |