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74AUP1G386GW

更新时间： 2024-02-22 02:18:02
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 光电二极管逻辑集成电路石英晶振
页数 文件大小 规格书
16页 250K
描述
Low-power 3-input EXCLUSIVE-OR gateProduction

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74AUP1G386GW 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-363
包装说明：TSSOP, TSSOP6,.08针数：6
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.47Is Samacsys：N
系列：AUP/ULP/VJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3长度：2 mm
负载电容（CL）：30 pF逻辑集成电路类型：XOR GATE
最大I（ol）：0.0017 A湿度敏感等级：1
功能数量：1输入次数：3
端子数量：6最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP6,.08
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.2/3.3 VProp。Delay @ Nom-Sup：22.1 ns
传播延迟（tpd）：22.1 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.1 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：0.8 V标称供电电压 (Vsup)：1.1 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：1.25 mmBase Number Matches：1

74AUP1G386GW 数据手册

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Nexperia  
74AUP1G386  
Low-power 3-input EXCLUSIVE-OR gate  
6.2. Pin description  
Table 3. Pin description  
Symbol  
Pin  
1
Description  
data input A  
ground (0 V)  
data input B  
data output Y  
supply voltage  
data input C  
A
GND  
B
2
3
Y
4
VCC  
C
5
6
7. Functional description  
Table 4. Function table  
H = HIGH voltage level; L = LOW voltage level.  
Input  
Output  
A
L
B
L
C
L
Y
L
L
L
H
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
L
H
H
H
H
H
L
L
H
L
H
H
L
H
H
8. Limiting values  
Table 5. Limiting values  
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
-0.5  
-50  
-0.5  
-50  
-0.5  
-
Max  
+4.6  
-
Unit  
V
VCC  
IIK  
supply voltage  
input clamping current  
input voltage  
VI < 0 V  
mA  
V
VI  
[1]  
[1]  
+4.6  
-
IOK  
VO  
IO  
output clamping current  
output voltage  
VO < 0 V  
mA  
V
Active mode and Power-down mode  
VO = 0 V to VCC  
+4.6  
±20  
50  
output current  
mA  
mA  
mA  
°C  
ICC  
IGND  
Tstg  
Ptot  
supply current  
-
ground current  
-50  
-65  
-
-
storage temperature  
total power dissipation  
+150  
250  
Tamb = -40 °C to +125 °C  
[2]  
mW  
[1] The input and output voltage ratings may be exceeded if the input and output current ratings are observed.  
[2] For SOT363-2 (TSSOP6) package: Ptot derates linearly with 3.7 mW/K above 83 °C.  
For SOT886 (XSON6) package: Ptot derates linearly with 3.3 mW/K above 74 °C.  
For SOT1115 (XSON6) package: Ptot derates linearly with 3.2 mW/K above 71 °C.  
For SOT1202 (XSON6) package: Ptot derates linearly with 3.3 mW/K above 74 °C.  
©
74AUP1G386  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
Nexperia B.V. 2022. All rights reserved  
Product data sheet  
Rev. 8 — 21 January 2022  
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74AUP1G386GW-G NXP Low-power 3-input EXCLUSIVE-OR gate

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