是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TSSOP |
包装说明: | TSSOP, TSSOP56,.3,20 | 针数: | 56 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.5 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 20 ns |
其他特性: | RETRANSMIT | 最大时钟频率 (fCLK): | 33.3 MHz |
周期时间: | 30 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-G56 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 14 mm |
内存密度: | 4608 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 9 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 56 |
字数: | 512 words | 字数代码: | 512 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512X9 | |
可输出: | NO | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP56,.3,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.005 A |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 6.1 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
72V81L20PAG8 | IDT |
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3.3 Volt CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO | |
72V81L20PAGI | IDT |
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3.3 Volt CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO DUAL 512 x 9, DUAL 1,024 x 9 DUAL 2,048 x 9, DUAL 4,0 | |
72V81L20PAGI8 | IDT |
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FIFO, 512X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDSO56, GREEN, TSSOP-56 | |
72V81L20PAI | IDT |
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TSSOP-56, Tube | |
72V81L20PAI8 | IDT |
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TSSOP-56, Reel | |
72V82 | RENESAS |
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1K x 9 DualAsync FIFO, 3.3V | |
72V821L10PF | IDT |
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TQFP-64, Tray | |
72V821L10PFG | IDT |
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Bi-Directional FIFO, 1KX9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, GREEN, PLASTIC, TQFP-64 | |
72V821L10PFG8 | IDT |
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FIFO, 1KX9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, GREEN, PLASTIC, TQFP-64 | |
72V821L10PFGI | IDT |
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3.3 VOLT DUAL CMOS SyncFIFO |