是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.81 |
最长访问时间: | 30 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 25 MHz |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e3 |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 9 |
湿度敏感等级: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 256 words | 字数代码: | 256 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 256X9 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class B (Modified) | 最大待机电流: | 0.015 A |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.1 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7200L30LB | IDT |
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FIFO, 256X9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32 | |
7200L30SOB | IDT |
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FIFO, 256X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28 | |
7200L30SOGB | IDT |
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暂无描述 | |
7200L30TCB | IDT |
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FIFO, 256X9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 | |
7200L35F | IDT |
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FIFO, 256X9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28 | |
7200L35JG | IDT |
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FIFO, 256X9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, GREEN, PLASTIC, LCC-32 | |
7200L35SO8 | IDT |
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SOIC-28, Reel | |
7200L35SOG | IDT |
获取价格 |
FIFO, 256X9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, GREEN, SOIC-28 | |
7200L35SOG8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 256X9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
7200L35TP | IDT |
获取价格 |
PDIP-28, Tube |