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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | QCCJ, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.24 |
| 最长访问时间： | 50 ns | 周期时间： | 65 ns |
| JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 13.97 mm | 内存密度： | 2304 bit |
| 内存宽度： | 9 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 256 words |
| 字数代码： | 256 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 256X9 | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.55 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 11.43 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SN74ACT7200L50RJ | TI |
功能相似  |
256 】 9, 512 】 9, 1024 】 9 ASYNCHRONOUS FIRST |
|
| AM7200-50JC | AMD |
功能相似 |
HIGH DENSITY FIRST-IN FIRST-OUT (FIFO) 256 X 9-BIT CMOS MEMORY |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7200L50JG | IDT |
获取价格 |
FIFO, 256X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, GREEN, PLASTIC, LCC-32 |
|
| 7200L50SO | IDT |
获取价格 |
SOIC-28, Tube |
|
| 7200L50SO8 | IDT |
获取价格 |
SOIC-28, Reel |
|
| 7200L50SOG | IDT |
获取价格 |
FIFO, 256X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, GREEN, SOIC-28 |
|
| 7200L50SOG8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 256X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 |
|
| 7200L50TC | IDT |
获取价格 |
FIFO, 256X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| 7200L50TCB | IDT |
获取价格 |
FIFO, 256X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| 7200L50TD | IDT |
获取价格 |
FIFO, 256X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| 7200L50TDG | IDT |
获取价格 |
FIFO, 256X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| 7200L50TPB | IDT |
获取价格 |
FIFO, 256X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, THIN, PLASTIC, DIP-28 |
|
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