是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP28,.5 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.35 |
最长访问时间: | 35 ns | 其他特性: | RETRANSMIT |
最大时钟频率 (fCLK): | 22.2 MHz | 周期时间: | 45 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 18.3642 mm | 内存密度: | 2304 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 9 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 256 words |
字数代码: | 256 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256X9 | 可输出: | NO |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP28,.5 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.048 mm |
最大待机电流: | 0.005 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 8.763 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7200L35SOG8 | IDT |
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FIFO, 256X9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
7200L35TP | IDT |
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PDIP-28, Tube | |
7200L50J8 | IDT |
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PLCC-32, Reel | |
7200L50JB | IDT |
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FIFO, 256X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
7200L50JG | IDT |
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FIFO, 256X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, GREEN, PLASTIC, LCC-32 | |
7200L50SO | IDT |
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SOIC-28, Tube | |
7200L50SO8 | IDT |
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SOIC-28, Reel | |
7200L50SOG | IDT |
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FIFO, 256X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, GREEN, SOIC-28 | |
7200L50SOG8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 256X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
7200L50TC | IDT |
获取价格 |
FIFO, 256X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |