5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, BGA119,7X17,50 | 针数： | 119 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.22 |
| 最长访问时间： | 3.5 ns | 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 22 mm | 内存密度： | 9437184 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 119 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX18 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA119,7X17,50 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.36 mm |
| 最大待机电流： | 0.05 A | 最小待机电流： | 3.14 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.34 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71V67803S166BQ | IDT |
获取价格 |
CABGA-165, Tray |
|
| 71V67803S166PF | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
|
| 71V67803S166PF | ROCHESTER |
获取价格 |
512KX18 CACHE SRAM, 3.5ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
|
| 71V67803S166PF8 | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
|
| 71V67803Z150BGG | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, |
|
| 71V67803Z150BGGI | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, |
|
| 71V67902S80PF9 | IDT |
获取价格 |
TQFP-100, Tray |
|
| 71V67903 | RENESAS |
获取价格 |
3.3V 512K x 18 Synchronous 3.3V I/O Flowthrough SRAM |
|
| 71V6790375BGG | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
|
| 71V6790375BGG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
|
解析BAV99LT1G手册：参数分析、替换型号推荐
解读BSS138PW数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
CR2032资料手册解读：参数分析、替换型号推荐
CDSOT23-SM712参数分析、替代型号推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
