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71V67803S166BGG

更新时间: 2024-01-27 13:55:52
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艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 517K
描述
Standard SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, MS-028AA, BGA-119

71V67803S166BGG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:BGA
包装说明:BGA, BGA119,7X17,50针数:119
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.22
最长访问时间:3.5 ns其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK):166 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B119JESD-609代码:e1
长度:22 mm内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:18
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:119字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX18输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA119,7X17,50封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.36 mm
最大待机电流:0.05 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.34 mA
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:14 mm
Base Number Matches:1

71V67803S166BGG 数据手册

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IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with  
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
FunctionalBlockDiagram  
LBO  
ADV  
CEN  
INTERNAL  
ADDRESS  
256K x 36/  
512K x 18-  
BIT  
MEMORY  
ARRAY  
CLK  
2
Burst  
Logic  
18/19  
Binary  
Counter  
ADSC  
A0*  
A1*  
Q0  
Q1  
CLR  
ADSP  
2
CLK EN  
A0,A1  
A2–A18  
A0–A17/18  
G W  
ADDRESS  
REGISTER  
36/18  
36/18  
18/19  
Byte 1  
Write Register  
BW E  
Byte 1  
Write Driver  
BW 1  
BW 2  
9
9
Byte 2  
Write Register  
Byte 2  
Write Driver  
Byte 3  
Write Register  
Byte 3  
Write Driver  
BW 3  
BW 4  
9
9
Byte 4  
Write Register  
Byte 4  
Write Driver  
OUTPUT  
REGISTER  
CE  
CS0  
CS1  
Q
D
Enable  
DATA INPUT  
REGISTER  
Register  
CLK EN  
ZZ  
Powerdown  
D
Q
Enable  
Delay  
Register  
OE  
OUTPUT  
BUFFER  
OE  
,
36/18  
I/O0–I/O31  
I/OP1–I/OP4  
5301 drw 01  
6.42  
3

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