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71V67803133BQGI

更新时间: 2024-02-27 19:45:38
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 424K
描述
Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-165

71V67803133BQGI 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:BGA
包装说明:TBGA,针数:165
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.67
Is Samacsys:N最长访问时间:4.2 ns
其他特性:PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码:R-PBGA-B165
JESD-609代码:e1长度:15 mm
内存密度:9437184 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:18湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:165
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX18
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:13 mm
Base Number Matches:1

71V67803133BQGI 数据手册

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IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with  
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
FunctionalBlockDiagram  
LBO  
ADV  
CEN  
INTERNAL  
ADDRESS  
256K x 36/  
512K x 18-  
BIT  
MEMORY  
ARRAY  
CLK  
2
Burst  
Logic  
18/19  
Binary  
Counter  
ADSC  
A0*  
A1*  
Q0  
Q1  
CLR  
ADSP  
2
CLK EN  
A0,A1  
A2–A18  
A0–A17/18  
ADDRESS  
REGISTER  
36/18  
36/18  
18/19  
GW  
Byte 1  
Write Register  
BWE  
Byte 1  
Write Driver  
BW  
1
9
9
Byte 2  
Write Register  
Byte 2  
Write Driver  
BW2  
Byte 3  
Write Register  
Byte 3  
Write Driver  
BW  
3
9
9
Byte 4  
Write Register  
Byte 4  
Write Driver  
BW4  
OUTPUT  
REGISTER  
CE  
CS  
CS  
Q
D
0
Enable  
DATA INPUT  
REGISTER  
1
Register  
CLK EN  
ZZ  
Powerdown  
D
Q
Enable  
Delay  
Register  
OE  
OUTPUT  
BUFFER  
OE  
,
36/18  
I/O  
0–I/O31  
I/OP1–I/OP4  
5301 drw 01  
6.42  
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