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71V65703S75PFI

更新时间: 2024-12-01 14:50:39
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 1198K
描述
256KX36 ZBT SRAM, 7.5ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-136DJ, PLASTIC, TQFP-100

71V65703S75PFI 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:QFP
包装说明:14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-136DJ, PLASTIC, TQFP-100针数:100
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
Is Samacsys:N最长访问时间:7.5 ns
其他特性:FLOW-THROUGH ARCHITECTUREJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0长度:20 mm
内存密度:9437184 bit内存集成电路类型:ZBT SRAM
内存宽度:36湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:100
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX36
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:1.6 mm
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:14 mm
Base Number Matches:1

71V65703S75PFI 数据手册

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