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71V546S133PFGI8

更新时间： 2024-02-28 19:39:31
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 228K
描述
Synchronous SRAM with ZBT Feature Burst Counter and Pipelined Outputs

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71V546S133PFGI8 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TQFP
包装说明：QFP, QFP100,.63X.87针数：100
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.2
最长访问时间：4.2 ns最大时钟频率 (fCLK)：133 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e3内存密度：4718592 bit
内存集成电路类型：ZBT SRAM内存宽度：36
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：100字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX36输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QFP
封装等效代码：QFP100,.63X.87封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.045 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.31 mA最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.635 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

71V546S133PFGI8 数据手册

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Commercial and Industrial Temperature Ranges  
IDT71V546 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with  
ZBT Feature, Burst Counter and Pipelined Outputs  
Absolute Maximum Ratings(1)  
Commercial &  
Industrial Values  
Recommended DC Operating  
Conditions  
Symbol  
Rating  
Unit  
Symbol  
Parameter  
Min. Typ.  
Max.  
3.465  
0
Unit  
V
(2)  
V
V
TERM  
Terminal Voltage  
with Respect to GND  
-0.5 to +4.6  
V
(3)  
V
DD  
Supply Voltage  
3.135 3.3  
(3)  
V
SS  
Ground  
0
0
V
TERM  
Terminal Voltage  
with Respect to GND  
-0.5 to VDD+0.5  
0 to +70  
V
____  
VIH  
VIH  
VIL  
Input High Voltage - Inputs  
Input High Voltage - I/O  
Input Low Voltage  
2.0  
4.6  
V
Commercial  
Operating Ambient  
Temperature  
DD+0.3(2)  
0.8  
V
____  
____  
2.0  
V
oC  
oC  
-0.5(1)  
V
T
A(4)  
Industrial  
Operating Ambient  
Temperature  
3821 tbl 04  
NOTES:  
1. VIL (min.) = –1.0V for pulse width less than tCYC/2, once per cycle.  
2. VIH (max.) = +6.0V for pulse width less than tCYC/2, once per cycle.  
-40 to +85  
T
BIAS  
STG  
Temperature Under Bias  
Storage Temperature  
Power Dissipation  
-55 to +125  
-55 to +125  
2.0  
oC  
oC  
W
3. VDD needs to be ramped up smoothly to the operating level. If there are any  
glitches on VDD that cause the voltage level to drop below 2.0 volts then the  
device needs to be reset by holding VDD to 0.0 volts for a minimum of 100 ms.  
T
P
T
I
OUT  
DC Output Current  
50  
mA  
Recommended Operating  
Temperature and Supply Voltage  
Ambient  
3821 tbl 05  
NOTES:  
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only  
and functional operation of the device at these or any other conditions above  
those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may  
affect reliability.  
2. VDD and Input terminals only.  
3. I/O terminals.  
4. During production testing, the case temperature equals the ambient temperature.  
Grade  
Commercial  
Industrial  
Temperature(1)  
0OC to +70OC  
-40OC to +85OC  
V
SS  
VDD  
0V  
0V  
3.3V 5%  
3.3V 5%  
3821 tbl 03  
NOTES:  
1. During production testing, the case temperature equals the ambient temperature.  
100 TQFP Capacitance  
(TA = +25°C, f = 1.0MHz, TQFP package)  
Symbol  
Parameter(1 )  
Input Capacitance  
I/O Capacitance  
Conditions  
Max. Unit  
CIN  
VIN = 3dV  
5
7
pF  
CI/O  
VOUT = 3dV  
pF  
3821 tbl 06  
NOTE:  
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.  
5
6.42  
12345678...21

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