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71V25761S200PF8

更新时间： 2024-02-24 22:01:00
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 618K
描述
Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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71V25761S200PF8 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数：100Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.43最长访问时间：3.1 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：200 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e0长度：20 mm
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：100
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX36
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LQFP封装等效代码：QFP100,.63X.87
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：2.5,3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大待机电流：0.03 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.36 mA最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：14 mmBase Number Matches：1

71V25761S200PF8 数据手册

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128K X 36, 256K X 18  
IDT71V25761S  
IDT71V25781S  
IDT71V25761SA  
IDT71V25781SA  
3.3VSynchronousSRAMs  
2.5V I/O, Pipelined Outputs,  
Burst Counter, Single Cycle Deselect  
Features  
Description  
◆
128K x 36, 256K x 18 memory configurations  
TheIDT71V25761/781arehigh-speedSRAMs organizedas 128K  
x 36/256K x 18. The IDT71V25761/781 SRAMs contain write, data,  
addressandcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerate  
aself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendof  
thewritecycle.  
◆
Supports high system speed:  
Commercial:  
– 200MHz 3.1ns clock access time  
CommercialandIndustrial:  
– 183MHz 3.3ns clock access time  
– 166MHz 3.5ns clock access time  
LBO input selects interleaved or linear burst mode  
Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe  
systemdesigner,astheIDT71V25761/718canprovidefourcyclesofdata  
forasingleaddress presentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress  
◆
◆
Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe  
enable (BWE), and byte writes (BWx)  
3.3V core power supply  
Power down controlled by ZZ input  
2.5V I/O  
Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1  
Compliant)  
Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad  
accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone  
cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode  
operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput  
datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The  
orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter  
andthe LBO inputpin.  
◆
◆
◆
◆
◆
TheIDT71V25761/781SRAMsutilizeIDT’slatesthigh-performance  
flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm  
grid array  
100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119 ballgridarray  
(BGA) and 165 fine pitch ball grid array (fBGA).  
PinDescriptionSummary  
A0-A17  
Address Inputs  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Output  
Input  
Input  
I/O  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Asynchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
N/A  
Chip Enable  
CE  
CS  
0
, CS  
1
Chip Selects  
Output Enable  
OE  
GW  
Global Write Enable  
Byte Write Enable  
Individual Byte Write Selects  
Clock  
BWE  
BW , BW  
(1)  
1
2
, BW  
3
, BW  
4
CLK  
Burst Address Advance  
Address Status (Cache Controller)  
Address Status (Processor)  
Linear / Interleaved Burst Order  
Test Mode Select  
Test Data Input  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
DC  
ADV  
ADSC  
ADSP  
LBO  
TMS  
TDI  
Synchronous  
Synchronous  
N/A  
TCK  
TDO  
TRST  
ZZ  
Test Clock  
Test Data Output  
Synchronous  
Asynchronous  
Asynchronous  
Synchronous  
N/A  
JTAG Reset (Optional)  
Sleep Mode  
I/O  
0
-I/O31, I/OP1-I/OP4  
DD, VDDQ  
SS  
Data Input / Output  
Core Power, I/O Power  
Ground  
V
Supply  
Supply  
V
N/A  
5297 tbl 01  
NOTE:  
1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V25781.  
JUNE 2003  
1
©2000IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-5297/03  
1234567...22

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