是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCJ, LDCC52,.8SQ | 针数: | 52 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.08 |
最长访问时间: | 20 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J52 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 19.1262 mm | 内存密度: | 8192 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 52 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC52,.8SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.572 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.25 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 19.1262 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7140SA20JG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 20ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL | |
7140SA20JGB8 | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
7140SA20JGI8 | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
7140SA20PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64 | |
7140SA20PFG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 | |
7140SA20PFGB8 | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
7140SA20PFGI8 | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
7140SA20PGB8 | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
7140SA20PGI8 | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
7140SA20TF | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 20ns, CMOS, PQFP64 |