Datasheet > 7140SA25JG

7140SA25JG

更新时间： 2024-11-06 19:50:07

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	168K
描述
Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

7140SA25JG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ, LDCC52,.8SQ	针数：	52
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.04
最长访问时间：	25 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQCC-J52	JESD-609代码：	e3
长度：	19.1262 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	52
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC52,.8SQ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.572 mm	最大待机电流：	0.015 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	19.1262 mm	Base Number Matches：	1

7140SA25JG 数据手册

IDT7130SA/LA

IDT7140SA/LA

HIGH SPEED

1K X 8 DUAL-PORT

STATIC SRAM

Features

◆

On-chip port arbitration logic (IDT7130 Only)

High-speed access

◆

BUSY output flag on IDT7130; BUSY input on IDT7140

INT flag for port-to-port communication

– Commercial: 20/25/35/55/100ns (max.)

– Industrial: 25/55/100ns (max.)

– Military: 25/35/55/100ns (max.)

Fully asynchronous operation from either port

Battery backup operation–2V data retention (LA only)

TTL-compatible, single 5V ±10% power supply

Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Available in 48-pin DIP, LCC and Ceramic Flatpack, 52-pin

PLCC, and 64-pin STQFP and TQFP

Green parts available, see ordering information

◆

Low-power operation

– IDT7130/IDT7140SA

— Active: 550mW (typ.)

— Standby: 5mW (typ.)

– IDT7130/IDT7140LA

— Active: 550mW (typ.)

— Standby: 1mW (typ.)

◆

MASTER IDT7130 easily expands data bus width to 16-or-

more-bits using SLAVE IDT7140

Functional Block Diagram

OER

OEL

R/W

I/O0L- I/O7L

I/O0R-I/O7R

(1,2)

I/O

Control

I/O

Control

(1,2)

BUSY

BUSYR

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

and

INTERRUPT

LOGIC

R/W

OEL

R/W

(2)

INT

INTL

2689 drw 01

NOTES:

1. IDT7130 (MASTER): BUSY is open drain output and requires pullup resistor.

IDT7140 (SLAVE): BUSY is input.

2. Open drain output: requires pullup resistor.

FEBRUARY 2013

DSC-2689/15

12 3 4 5 6 7...21

中文翻译

下载PDF

与7140SA25JG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
7140SA25JG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL
7140SA25JGB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL
7140SA25JGB8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL
7140SA25JGI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL
7140SA25JI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
7140SA25L488	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQCC48
7140SA25L48G	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQCC48
7140SA25L48G8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQCC48
7140SA25L48GI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQCC48
7140SA25L48GI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQCC48

与7140SA25JG相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

7140SA25JG

7140SA25JG 技术参数

7140SA25JG 数据手册

与7140SA25JG相关器件

与7140SA25JG相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

7140SA25JG

7140SA25JG 技术参数

7140SA25JG 数据手册

与7140SA25JG相关器件

与7140SA25JG相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？