是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | QFP, QFP64,.66SQ,32 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.45 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 25 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQFP-G64 |
JESD-609代码: | e3 | 内存密度: | 8192 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 64 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QFP | 封装等效代码: | QFP64,.66SQ,32 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.03 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.28 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7140SA25PGB8 | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
7140SA25PGI8 | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
7140SA25TFB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64 | |
7140SA25TFGB8 | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
7140SA25TFGI8 | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
7140SA30CB | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CDIP48 | |
7140SA30XCB | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CDIP48 | |
7140SA35CG8 | IDT |
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SRAM | |
7140SA35CGB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, GREEN, SI | |
7140SA35CGB8 | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |