是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | DIP, DIP48,.6 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.23 |
最长访问时间: | 25 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T48 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 8192 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP48,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.03 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.28 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7140SA25CGI8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48 | |
7140SA25FB | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQFP48 | |
7140SA25FB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQFP48 | |
7140SA25FG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQFP48 | |
7140SA25FGB8 | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
7140SA25FGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQFP48 | |
7140SA25FGI8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQFP48 | |
7140SA25JB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
7140SA25JG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL | |
7140SA25JG8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL |