是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | QFP, QFP100,.63SQ,20 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.31 |
最长访问时间: | 20 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 73728 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度: | 18 | 湿度敏感等级: | 3 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 100 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 4KX18 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QFP | 封装等效代码: | QFP100,.63SQ,20 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.225 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V34S25PF | IDT |
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TQFP-100, Tray | |
70V34S25PF8 | IDT |
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TQFP-100, Reel | |
70V34S25PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ | |
70V34S25PFG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, POWER, PLASTIC, TQFP-100 | |
70V34TL15PF | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX18, 15ns, CMOS, PQFP100 | |
70V35 | RENESAS |
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8K x 18 3.3V Dual-Port RAM | |
70V3569 | RENESAS |
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16K x 36 Sync, 3.3V Dual-Port, Pipelined, Interleaved I/O's | |
70V3569S4BCG | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V3569S4BCG8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V3569S4BCGI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |