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70V3389S5BCGI8

更新时间： 2024-09-20 00:38:47
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 196K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM

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70V3389S5BCGI8 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：BGA, BGA256,16X16,40
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.34
最长访问时间：5 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：100 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PBGA-B256JESD-609代码：e1
内存密度：1179648 bit内存集成电路类型：APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：256字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX18输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA256,16X16,40封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5/3.3,3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.03 A
最小待机电流：3.15 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.415 mA最大供电电压 (Vsup)：3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：3.15 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30

70V3389S5BCGI8 数据手册

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IDT70V3389S  
HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18  
SYNCHRONOUS PIPELINED  
DUAL-PORT STATIC RAM  
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE  
LEAD FINISH (SnPb) ARE IN EOL PROCESS - LAST TIME BUY EXPIRES JUNE 15, 2018  
Features  
– Data input, address, byte enable and control registers  
– Self-timedwriteallowsfastcycletime  
Separate byte controls for multiplexed bus and bus  
matching compatibility  
LVTTL- compatible, single 3.3V ( 150mV) power supply for  
core  
LVTTL- compatible, selectable 3.3V ( 150mV)/2.5V ( 125mV)  
power supply for I/Os and control signals on each port  
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is  
available for selected speeds  
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous  
access of the same memory location  
High-speed clock to data access  
– Commercial:4.2/5/6ns(max.)  
◆
◆
◆
◆
◆
◆
– Industrial: 5ns (max)  
Pipelined output mode  
Counter enable and reset features  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
◆
◆
◆
additional logic  
◆
Full synchronous operation on both ports  
– 7.5ns cycle time, 133MHz operation (9.6 Gbps bandwidth)  
– Fast 4.2ns clock to data out  
Available in a 128-pin Thin Quad Plastic Flatpack (TQFP),  
208-pin fine pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball  
GridArray  
◆
– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and  
address inputs @ 133MHz  
Green parts available, see ordering information  
Functional Block Diagram  
UBL  
UBR  
LB  
R
LB  
R/W  
L
L
R/W  
R
B
B
B B  
W W  
W W  
0
L
1
L
1
R
0
R
CE0L  
CE0R  
CE1L  
CE1R  
OE  
L
OER  
Dout0-8_L  
Dout9-17_L  
Dout0-8_R  
Dout9-17_R  
64K x 18  
MEMORY  
ARRAY  
I/O0 L - I/O1 7 L  
Din_L  
Din_R  
I/O0R - I/O17R  
CLK  
L
CLK  
R
A15L  
A0L  
A15R  
A0R  
Counter/  
Address  
Reg.  
Counter/  
Address  
Reg.  
.
ADDR_L  
ADDR_R  
CNTRST  
L
CNTRST  
R
ADS  
R
ADS  
CNTEN  
L
L
CNTEN  
R
4832 tbl 01  
FEBRUARY 2018  
1
©2018 Integrated Device Technology, Inc.  
DSC 4832/14  
1234567...17

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
70V3389S5BFG IDT

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 		Dual-Port SRAM, 64KX18, 5ns, CMOS, CBGA208, 15 X 15 MM X 1.4 MM, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPB
70V3389S5BFG8 IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
70V3389S5BFGI IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
70V3389S5BFGI8 IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
70V3389S5PRF IDT

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 		TQFP-128, Tray
70V3389S5PRFG IDT

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