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70V3319S166BFG

更新时间： 2024-11-09 00:38:43
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
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23页 259K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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70V3319S166BFG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：CABGA
包装说明：LFBGA, BGA208,17X17,32针数：208
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.19
最长访问时间：3.6 ns其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：166 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-CBGA-B208JESD-609代码：e1
长度：15 mm内存密度：4718592 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：18
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：2端子数量：208
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX18
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：LFBGA封装等效代码：BGA208,17X17,32
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.5/3.3,3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.7 mm最大待机电流：0.03 A
最小待机电流：3.15 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.5 mA最大供电电压 (Vsup)：3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：3.15 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：15 mmBase Number Matches：1

70V3319S166BFG 数据手册

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HIGH-SPEED 3.3V  
256/128K x 18  
SYNCHRONOUS  
IDT70V3319/99S  
DUAL-PORT STATIC RAM  
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE  
LEAD FINISH (SnPb) ARE IN EOL PROCESS - LAST TIME BUY EXPIRES JUNE 15, 2018  
Features:  
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous  
access of the same memory location  
High-speed data access  
– Self-timedwriteallowsfastcycletime  
Separate byte controls for multiplexed bus and bus  
matching compatibility  
◆
◆
◆
◆
– Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)  
– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)  
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode  
– Due to limited pin count PL/FT option is not supported  
on the 128-pin TQFP package. Device is pipelined  
outputs only on each port.  
Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output mode  
LVTTL- compatible, single 3.3V ( 150mV) power supply  
for core  
LVTTL compatible, selectable 3.3V ( 150mV) or 2.5V  
( 100mV) power supply for I/Os and control signals on  
each port  
◆
◆
◆
◆
◆
◆
Counter enable and repeat features  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
additional logic  
Full synchronous operation on both ports  
– 6ns cycle time, 166MHz operation (6Gbps bandwidth)  
– Fast 3.6ns clock to data out  
– 1.7ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and  
address inputs @ 166MHz  
– Data input, address, byte enable and control registers  
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is  
available at 133MHz.  
Available in a 128-pin Thin Quad Flatpack, 208-pin fine  
pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball  
GridArray  
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1  
– Due to limited pin count, JTAG is not supported on the  
128-pin TQFP package  
◆
◆
◆
Green parts available, see ordering information  
Functional Block Diagram  
UBL  
UBR  
LBL  
LBR  
FT/PIPE  
L
1b 0b  
b
1a 0a  
a
0a 1a  
a
0b 1b  
b
FT/PIPER  
1/0  
1/0  
R/WL  
R/WR  
CE0L  
CE0R  
1
1
CE1R  
CE1L  
B
B
B B  
0
0
W W  
W W  
0
L
1
L
1
0
R
R
1/0  
1/0  
Dout0-8_L  
Dout9-17_L  
Dout0-8_R  
Dout9-17_R  
OE  
L
OER  
,
0a 1a  
0b 1b  
ba  
1b 0b 1a 0a  
ab  
0/1  
FT/PIPE  
L
0/1  
FT/PIPER  
256K x 18  
MEMORY  
ARRAY  
Din_L  
I/O0R - I/O17R  
I/O0L - I/O17L  
Din_R  
,
CLKR  
CLKL  
(1)  
L
(1)  
A
17L  
A
A
17R  
Counter/  
Address  
Reg.  
Counter/  
Address  
Reg.  
A0L  
0R  
ADDR_R  
ADDR_L  
REPEAT  
ADS  
CNTEN  
REPEAT  
ADS  
CNTEN  
R
R
L
R
L
5623 tbl 01  
TDI  
TCK  
TMS  
TRST  
NOTE:  
1. A17 is a NC for IDT70V3399.  
JTAG  
TDO  
JUNE 2018  
1
DSC 5623/11  
©2018 Integrated Device Technology, Inc.  
1234567...23

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70V3319S166BFG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
70V3319S166BFG8 IDT

完全替代

 HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
70V3319S166PRFG IDT

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70V3379 RENESAS

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70V3379S4BCG IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
70V3379S4BCG8 IDT

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 		Application Specific SRAM, 32KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN

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