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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | QFP, QFP128,.63X.87,20 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.26 |
| 最长访问时间： | 4.2 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PQFP-G128 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 589824 bit |
| 内存集成电路类型： | APPLICATION SPECIFIC SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 128 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX18 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QFP | 封装等效代码： | QFP128,.63X.87,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 最小待机电流： | 3.15 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.46 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 70V3379S4PRFG | IDT |
功能相似  |
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 70V3379S4PRFGI | IDT |
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| 70V3379S5BCGI8 | IDT |
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| 70V3379S5BCI | IDT |
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CABGA-256, Tray |
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| 70V3379S5BCI8 | IDT |
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CABGA-256, Reel |
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| 70V3379S5BFG | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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