是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FBGA-208 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.45 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 12 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PBGA-B208 |
JESD-609代码: | e1 | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 208 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX18 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA208,17X17,32 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2.5,2.5/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 2.4 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.355 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.4 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70T633S12BFGI | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM | |
70T633S12BFGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM | |
70T633S12DD8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 512KX18, 12ns, CMOS, PQFP144 | |
70T633S12DDG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 512KX18, 12ns, CMOS, PQFP144, 20 X 20 MM, 1.40 MM HIEGHT, GREEN, TQFP-144 | |
70T633S12DDG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 512KX18, 12ns, CMOS, PQFP144 | |
70T633S12DDGI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 512KX18, 12ns, CMOS, PQFP144 | |
70T633S12DDI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 512KX18, 12ns, CMOS, PQFP144 | |
70T633S15BCG | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM | |
70T633S15BCG8 | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM | |
70T633S15BCGI | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |