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70P249L65BYI

更新时间: 2024-02-02 09:29:24
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 146K
描述
Application Specific SRAM, 4KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM, BGA-100

70P249L65BYI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:BGA, BGA100,10X10,20
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.55
最长访问时间:65 ns其他特性:IT ALSO OPERATES AT SUPPLY VOLTAGE 2.5 V AND 3 V NOMINAL
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-PBGA-B100
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:APPLICATION SPECIFIC SRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:2
端子数量:100字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:4KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA100,10X10,20封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:1.8/3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.000006 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:BALL
端子节距:0.5 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

70P249L65BYI 数据手册

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IDT70P269/259/249L  
Low Power 16K/8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM  
Industrial Temperature Range  
DC Electrical Characteristics Over the Operating and  
TemperatureandSupplyVoltageRange(VDD =2.5V)  
70P269/259/249  
Ind'l Only  
P1 I/O  
Voltage Voltage  
P2 I/O  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Symbol  
Parameter  
___  
___  
Output High Voltage (I  
0
H
H
= -2 mA)  
= -2 mA)  
2.5V (any port)  
2.0  
___  
___  
___  
___  
___  
___  
___  
___  
___  
___  
V
V
V
V
V
OH  
Output High Voltage (I  
0
3.0V (any port)  
2.5V (any port)  
3.0V (any port)  
2.5V (any port)  
3.0V (any port)  
2.5V (any port)  
3.0V (any port)  
2.5V (any port)  
3.0V (any port)  
2.1  
V
___  
Output Low Voltage (I  
0
L
= 2 mA)  
= 2 mA)  
0.4  
0.4  
0.2  
0.2  
V
___  
___  
___  
OL  
Output Low Voltage (I  
0
L
V
V
OL ODR  
ODR Output Low Voltage (I  
Input High Voltage  
0L  
= 8 mA)  
V
1.7  
2.0  
V
DDIO+ 0.3  
DDIO + 0.2  
0.6  
V
V
V
V
IH  
IL  
V
-0.3  
-0.2  
Input Low Voltage  
0.7  
___  
___  
2.5V  
3.0V  
2.5V  
3.0V  
-1  
-1  
1
1
µA  
µA  
I
OZ  
Output Leakage Current  
___  
___  
2.5V  
3.0V  
2.5V  
3.0V  
-1  
-1  
1
1
ODR Output Leakage Current  
VOUT = VDDIO  
ICEX ODR  
___  
___  
2.5V  
3.0V  
2.5V  
3.0V  
-1  
-1  
1
1
IIX  
Input Leakage Current  
µA  
7146 tbl 07  
DC Electrical Characteristics Over the Operating and  
TemperatureandSupplyVoltageRange(VDD =3.0V)  
70P269/259/249  
Ind'l Only  
P1 I/O  
Voltage Voltage  
P2 I/O  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Symbol  
Parameter  
___  
___  
V
V
V
V
V
OH  
Output High Voltage (I  
0
H
= -2 mA)  
= 2 mA)  
= 8 mA)  
3.0V (any port)  
2.1  
___  
___  
___  
___  
OL  
Output Low Voltage (I  
0
L
3.0V (any port)  
3.0V (any port)  
3.0V (any port)  
3.0V (any port)  
0.4  
0.2  
V
___  
OL ODR  
ODR Output Low Voltage (I  
Input High Voltage  
0L  
V
IH  
IL  
2.0  
V
DDIO + 0.2  
V
___  
___  
Input Low Voltage  
-0.2  
-1  
0.7  
1
V
IOZ  
Output Leakage Current  
3.0V  
3.0V  
µA  
ODR Output Leakage Current  
___  
___  
V
OUT = VDDIO  
µA  
I
CEX ODR  
3.0V  
3.0V  
3.0V  
3.0V  
-1  
-1  
1
1
IIX  
Input Leakage Current  
µA  
7146 tbl 08  
6.42  
6
OCTOBER16,2008  

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