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70P249L65BYI PDF预览

70P249L65BYI

更新时间： 2024-01-30 09:20:37
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 146K
描述
Application Specific SRAM, 4KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM, BGA-100

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70P249L65BYI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：BGA, BGA100,10X10,20
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.55
最长访问时间：65 ns其他特性：IT ALSO OPERATES AT SUPPLY VOLTAGE 2.5 V AND 3 V NOMINAL
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PBGA-B100
JESD-609代码：e0内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：APPLICATION SPECIFIC SRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：2
端子数量：100字数：4096 words
字数代码：4000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA100,10X10,20封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：1.8/3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.000006 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：BALL
端子节距：0.5 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

70P249L65BYI 数据手册

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IDT70P269/259/249L  
Low Power 16K/8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM  
Industrial Temperature Range  
Capacitance  
MaximumOperatingTemperature  
andSupplyVoltage(1)  
Temperature  
(TA = +25°C, f = 1.0MHz)  
Symbol  
Parameter  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Conditions(2)  
IN = 3dV  
OUT = 3dV  
Max. Unit  
Grade  
Ambient  
GND  
VDD  
CIN  
V
9
pF  
1.8V  
2.5V  
3.0V  
+
+
+
100mV  
100mV  
300mV  
Industrial  
-40OC to +85OC  
0V  
COUT  
V
10  
pF  
7146 tbl 05  
NOTES:  
7146 tbl 04  
NOTE :  
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.  
1. This parameter is determined by device characterization but is not production  
tested.  
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output signals  
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.  
DC Electrical Characteristics Over the Operating and  
TemperatureandSupply VoltageRange(VDD =1.8V)  
70P269/259/249  
Ind'l Only  
P1 I/O  
Voltage Voltage  
P2 I/O  
Min.  
DDIO - 0.2  
2.0  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Symbol  
Parameter  
___  
___  
Output High Voltage (I  
0
0
0
H
H
H
= -100 µA)  
= -2 mA)  
= -2 mA)  
1.8V (any port)  
V
___  
___  
___  
___  
___  
___  
___  
___  
___  
___  
___  
___  
___  
___  
___  
___  
___  
Output High Voltage (I  
Output High Voltage (I  
2.5V (any port)  
3.0V (any port)  
1.8V (any port)  
2.5V (any port)  
3.0V (any port)  
1.8V (any port)  
2.5V (any port)  
3.0V (any port)  
1.8V (any port)  
2.5V (any port)  
3.0V (any port)  
1.8V (any port)  
2.5V (any port)  
3.0V (any port)  
V
2.1  
V
V
V
V
V
V
OH  
___  
Output Low Voltage (I  
Output Low Voltage (I  
Output Low Voltage (I  
0
L
= 100 µA)  
= 2 mA)  
= 2 mA)  
0.2  
V
___  
___  
___  
___  
___  
0
L
L
0.4  
V
0
0.4  
V
OL  
0.2  
V
0.2  
V
0.2  
V
OL ODR  
ODR Output Low Voltage (I  
Input High Voltage  
0L = 8 mA)  
1.2  
1.7  
2.0  
-0.2  
-0.3  
-0.2  
-1  
V
V
V
DDIO + 0.2  
V
DDIO+ 0.3  
V
DDIO + 0.2  
V
IH  
0.4  
0.6  
0.7  
1
V
V
V
IL  
Input Low Voltage  
1.8V  
2.5V  
1.8V  
2.5V  
___  
___  
___  
___  
___  
-1  
1
3.0V  
1.8V  
3.0V  
1.8V  
-1  
-1  
1
1
µA  
µA  
I
I
OZ  
Output Leakage Current  
2.5V  
3.0V  
2.5V  
3.0V  
-1  
-1  
1
1
ODR Output Leakage Current  
VOUT = VDDIO  
CEX ODR  
___  
___  
___  
1.8V  
2.5V  
3.0V  
1.8V  
2.5V  
3.0V  
-1  
-1  
-1  
1
1
1
µA  
I
IX  
Input Leakage Current  
7146 tbl 06  
OCTOBER 16, 2008  
6.42  
5
12345678...22

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