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70P249L65BYI

更新时间: 2024-01-27 09:07:47
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 146K
描述
Application Specific SRAM, 4KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM, BGA-100

70P249L65BYI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:BGA, BGA100,10X10,20
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.55
最长访问时间:65 ns其他特性:IT ALSO OPERATES AT SUPPLY VOLTAGE 2.5 V AND 3 V NOMINAL
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-PBGA-B100
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:APPLICATION SPECIFIC SRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:2
端子数量:100字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:4KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA100,10X10,20封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:1.8/3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.000006 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:BALL
端子节距:0.5 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

70P249L65BYI 数据手册

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IDT70P269/259/249L  
Low Power 16K/8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM  
Industrial Temperature Range  
AC Test Conditions  
Input Pulse Levels  
GND to 3.0V/GND to 2.5V/GND to 1.8V  
Input Rise/Fall Times  
Input Timing Reference Levels  
Output Reference Levels  
Output Load  
3ns Max.  
1.5V/1.25V/0.9V  
1.5V/1.25V/0.9V  
Figure 1  
7146 tbl 10  
3.0V/2.5V/1.8V  
R1  
3.0V/2.5V  
1022  
1.8V  
R1  
R2  
13500Ω  
729Ω  
10800Ω  
R2  
7146 tbl 11  
(1)  
30pF  
7146 drw 03  
Figure 1. AC Output Test Load  
(5pF for tLZ, tHZ, tWZ, tOW)  
Timing of Power-Up Power-Down  
CS  
t
PU  
t
PD  
I
DD  
50%  
50%  
I
SB  
,
7146 drw 04  
6.42  
8
OCTOBER16,2008  

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