是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | PGA-108 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 12 ns | 其他特性: | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK): | 50 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | X-CPGA-P108 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | APPLICATION SPECIFIC SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 108 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装等效代码: | QFP100,.63SQ,20 | 封装形状: | UNSPECIFIED |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.005 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.305 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
709269L12GI | IDT |
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Application Specific SRAM, 16KX16, 12ns, CMOS, CPGA108, PGA-108 | |
709269L12GI8 | IDT |
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Application Specific SRAM, 16KX16, 12ns, CMOS, CPGA108, PGA-108 | |
709269L12PF | IDT |
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TQFP-100, Tray | |
709269L12PF8 | IDT |
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TQFP-100, Reel | |
709269L12PFG | IDT |
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HIGH-SPEED 32/16K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM | |
709269L12PFG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM | |
709269L12PFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM | |
709269L12PFGI8 | IDT |
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Dual-Port SRAM | |
709269L15G | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 30ns, CMOS, CPGA108, PGA-108 | |
709269L15PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM |