是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 12 ns |
其他特性: | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK): | 50 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | APPLICATION SPECIFIC SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 100 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 16KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QFP | 封装等效代码: | QFP100,.63SQ,20 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.38 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
709269S15G | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 30ns, CMOS, CPGA108, PGA-108 | |
709269S15G8 | IDT |
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Application Specific SRAM, 16KX16, 15ns, CMOS, CPGA108, PGA-108 | |
709269S15PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM | |
709269S15PFG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM | |
709269S15PFGI | IDT |
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HIGH-SPEED 32/16K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM | |
709269S15PFGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 32/16K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM | |
709269S6G | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 15ns, CMOS, CPGA108, PGA-108 | |
709269S9G | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 20ns, CMOS, CPGA108, PGA-108 | |
709269S9G8 | IDT |
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Application Specific SRAM, 16KX16, 9ns, CMOS, CPGA108, PGA-108 | |
709269S9PF | IDT |
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TQFP-100, Tray |