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7026L55JB

更新时间： 2024-09-20 07:39:39

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	154K
描述
Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-84

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7026L55JB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ, LDCC84,1.2SQ	针数：	84
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.26
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQCC-J84	JESD-609代码：	e0
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	84	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	16KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC84,1.2SQ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-PRF-38535
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

7026L55JB 数据手册

HIGH-SPEED

IDT7026S/L

16K X 16 DUAL-PORT

STATIC RAM

Features

◆

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

High-speed access

IDT7026 easily expands data bus width to 32 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

M/S = H for BUSY output flag on Master,

M/S = L for BUSY input on Slave

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Fully asynchronous operation from either port

TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply

Available in 84-pin PGA and 84-pin PLCC

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆

– Commercial:15/20/25/35/55ns (max.)

– Industrial: 20/25/35/55ns (max.)

– Military: 20/25/35/55ns (max.)

Low-power operation

◆

– IDT7026S

◆

Active: 750mW (typ.)

Standby: 5mW (typ.)

– IDT7026L

Active: 750mW (typ.)

Standby: 1mW (typ.)

Separate upper-byte and lower-byte control for multi-

plexed bus compatibility

◆

FunctionalBlockDiagram

UBL

CER

I/O8L-I/O15L

I/O0L-I/O7L

I/O8R-I/O15R

I/O

Control

I/O

Control

I/O0R-I/O7R

(1,2)

BUSY

13R

13L

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

A0R

ARBITRATION

SEMAPHORE

LOGIC

SEMR

SEM

M/S

2939 drw 01

NOTES:

1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY outputs are non-tri-stated push-pull.

JANUARY 2009

DSC 2939/13

12 3 4 5 6 7...18

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与7026L55JB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
7026L55JG	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
7026L55JG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN,
7026L55JGB	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
7026L55JGB8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
7026L55JGI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
7026L55JGI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN,
7026L55JI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC
7026S15G	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 15ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.12 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC,
7026S15GG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 15ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN,
7026S15GG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 15ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN,

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