Datasheet > 7026L35GGI

7026L35GGI

更新时间： 2024-11-08 19:17:59

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	679K
描述
Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, PGA-84

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

7026L35GGI 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PGA,
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.13	最长访问时间：	35 ns
JESD-30 代码：	S-CPGA-P84	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	84
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16KX16
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	PERPENDICULAR	Base Number Matches：	1

7026L35GGI 数据手册

HIGH-SPEED

IDT7026S/L

16K X 16 DUAL-PORT

STATIC RAM

Features

◆

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

High-speed access

IDT7026 easily expands data bus width to 32 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

◆

– Commercial: 15/20/25/35/55ns (max.)

– Industrial: 20/25/35/55ns (max.)

– Military: 20/25/35/55ns (max.)

Low-power operation

M/S = H for BUSY output flag on Master,

M/S = L for BUSY input on Slave

◆

On-chip port arbitration logic

◆

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

– IDT7026S

◆

Active: 750mW (typ.)

Fully asynchronous operation from either port

TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply

Available in 84-pin PGA and 84-pin PLCC

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Standby: 5mW (typ.)

– IDT7026L

Active: 750mW (typ.)

Standby: 1mW (typ.)

◆

Separate upper-byte and lower-byte control for multi-

plexed bus compatibility

Green parts available, see ordering information

FunctionalBlockDiagram

UBL

CER

I/O8L-I/O15L

I/O0L-I/O7L

I/O8R-I/O15R

I/O

Control

I/O

Control

I/O0R-I/O7R

(1,2)

BUSY

13R

13L

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

A0R

ARBITRATION

SEMAPHORE

LOGIC

CEL

CER

SEM

SEMR

M/S

2939 drw 01

NOTES:

1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY outputs are non-tri-stated push-pull.

AUGUST 2015

DSC 2939/14

12 3 4 5 6 7...18

中文翻译

下载PDF

与7026L35GGI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
7026L35GGI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN,
7026L35GI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.12 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC,
7026L35J	IDT	获取价格	PLCC-84, Tube
7026L35J8	IDT	获取价格	PLCC-84, Reel
7026L35JG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN,
7026L35JG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN,
7026L35JGB	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
7026L35JGB8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
7026L35JGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN,
7026L35JGI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN,

与7026L35GGI相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

19
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

16
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

39
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

7026L35GGI

7026L35GGI 技术参数

7026L35GGI 数据手册

与7026L35GGI相关器件

与7026L35GGI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

7026L35GGI

7026L35GGI 技术参数

7026L35GGI 数据手册

与7026L35GGI相关器件

与7026L35GGI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？