是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | PGA, PGA84M,11X11 | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.68 |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P84 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 84 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 16KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装等效代码: | PGA84M,11X11 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 | 最大待机电流: | 0.01 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.27 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7026L55GG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, | |
7026L55GG8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7026L55GGB | IDT |
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HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7026L55GGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7026L55GGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, | |
7026L55GGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7026L55GI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.12 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, | |
7026L55J8 | IDT |
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PLCC-84, Reel | |
7026L55JB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC | |
7026L55JG | IDT |
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HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |