是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | LCC-68 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.27 |
最长访问时间: | 35 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J68 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 68 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | PGA68,11X11 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.03 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.335 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7007S35JI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, | |
7007S35PF8 | IDT |
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TQFP-80, Reel | |
7007S35PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 | |
7007S35PFB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 | |
7007S35PFB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQFP80 | |
7007S35PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80 | |
7007S35PFG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80 | |
7007S35PFGB | IDT |
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HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7007S35PFGB8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80 | |
7007S35PFGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80 |