Datasheet > 7007S55JGB8

7007S55JGB8

更新时间： 2024-10-26 17:52:19

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	164K
描述
Multi-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

7007S55JGB8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	LCC-68
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PQCC-J68
JESD-609代码：	e3	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	68	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	PGA68,11X11	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-PRF-38535
最大待机电流：	0.03 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	J BEND
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

7007S55JGB8 数据手册

HIGH-SPEED

IDT7007S/L

32K x 8 DUAL-PORT

STATIC RAM

Features

◆

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

M/S = H for BUSY output flag on Master,

M/S = L for BUSY input on Slave

Interrupt Flag

On-chip port arbitration logic

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

High-speed access

◆

– Military:25/35/55ns(max.)

◆

– Industrial:20/25/35/55ns(max.)

– Commercial:15/20/25/35/55ns(max.)

Low-power operation

◆

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

– IDT7007S

◆

Fully asynchronous operation from either port

TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply

Available in 68-pin PGA and PLCC and a 80-pin TQFP

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Active:850mW(typ.)

Standby: 5mW (typ.)

– IDT7007L

Active:850mW(typ.)

Standby: 1mW (typ.)

IDT7007 easily expands data bus width to 16 bits or more

◆

Green parts available, see ordering information

FunctionalBlockDiagram

OER

OEL

CEL

CER

R/WR

R/W

I/O0L- I/O7L

I/O0R-I/O7R

I/O

Control

(1,2)

BUSY ^(1,2)

BUSY

14R

14L

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

R/W

SEM

M/S

(2)

INT

INTL

2940 drw 01

NOTES:

1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY and INT outputs are non-tri-stated push-pull.

JANUARY 2006

DSC 2940/12

12 3 4 5 6 7...21

中文翻译

下载PDF

与7007S55JGB8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
7007S55JGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P
7007S55JGI8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN,
7007S55PF9	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80
7007S55PFB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80
7007S55PFG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80
7007S55PFG8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80
7007S55PFGB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80
7007S55PFGB8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
7007S55PFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80
7007S55PFGI8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80

与7007S55JGB8相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

9
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

6
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

35
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

44

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

7007S55JGB8

7007S55JGB8 技术参数

7007S55JGB8 数据手册

与7007S55JGB8相关器件

与7007S55JGB8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

7007S55JGB8

7007S55JGB8 技术参数

7007S55JGB8 数据手册

与7007S55JGB8相关器件

与7007S55JGB8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？